This paper offers a scheme for the calculation of the mobility of electrons in a delta doped QW considering the conditions of low temperature and low electric field intensity. The system considered is a quantum well for electrons in the conduction band made by a silicon impurity plane in a sample of GaAs. The 3D character of the electronic states and of the magnitudes considered is explicitly tacked into account instead of reducing the dimensionality of the system to make the calculations more easy. Other calculations are compared and the formulae obtained in our approximation are given. At this moment the numerical calculation is in progress and the algorithm to do it is presented.

Este artículo ofrece un esquema para el cálculo de la movilidad de electrones en una estructura de pozo delta dopado, a bajas temperaturas y para campos eléctricos aplicados no muy intensos. El análisis se hace para un sistema dopado tipo n, considerando una lámina de impurezas de silicio en una muestra de GaAs. Se tiene en cuanta explícitamente el carácter tridimensional de los estados electrónicos y de las magnitudes que se miden -en lugar de realizar aproximaciones en que se reduzcan las dimensiones del sistema-, lo que facilita la ejecución del cálculo. Se exponen los resultados de otros esquemas utilizados y se dan las fórmulas que se emplearán para comprobar y comparar nuestros cálculos con los reportados previamente. En la actualidad, se está en el proceso de implementación del cálculo numérico, del que se expone el algoritmo que se tiene en ejecución.

The calculation of the electronic energy levels of n-type delta-doped quantum wells in a GaAs matrix is presented. The effects of hydrostatic pressure on the band structure are taken into account specially when the host material becomes an indirect gap one. The results suggest that under the applied pressure regime the GaAs can support two-dimensional conduction channels associated to the delta-doping, with carrier densities exceeding 10(13) cm-2.